由二维材料制成的范德华异质结为设计和实现多功能和高性能的电子、光电设备提供了竞争机会。为了构建能够在室温下工作的异质结，选择一种五边形二维层状贵金属过渡金属双硫分子配合物PdSe₂，其具有空气稳定性及高电子场效应迁移率。在刚性SiO₂/Si衬底上制造的InSe器件具有约50 ms的响应时间，在光开关中表现出长期稳定性，能够在柔性基板上运作。在肖特基结和异质结的适当能带对准设计下，PdSe₂和InSe构成的异质结构在室温下显示出超过10⁶的高反向整流比和低于pA的超低正向电流，同时具有超过10⁸的高电流开/关比。因此，PdSe₂ / InSe范德华异质结可以用作超灵敏的光电探测器，表现出明显的光伏效应，具有光谱检测能力。该研究为基于二维材料的范德华集成和设计以及光电多功能设备的能带对准技术提供了新思路。

A quasi-two-dimensional layer of MoS₂ was placed on top of a silicon optical waveguide to form a MoS₂–silicon hybrid structure. Chirped pulse self-phase modulation measurements were carried out to determine the optical Kerr nonlinearity of the structure. The observed increase in the spectral broadening of the optical pulses in the MoS₂–silicon waveguide compared with the silicon waveguides indicated that the third-order nonlinear effect in MoS₂ is about 2 orders of magnitude larger than that in silicon. The measurements show that MoS2 has an effective optical Kerr coefficient of about 1.1 × 10^?16 m²∕W. This work reveals the potential application of MoS₂ to enhance the nonlinearity of hybrid silicon optical devices.

研究了一种掺杂亲水性纳米氢氧化镁颗粒的丙烯酰胺基光致聚合物厚膜的全息存储特性。用Ar+激光器514 nm波长的光对材料进行曝光，实验结果表明，在丙烯酰胺基光致聚合物全息材料中掺入氢氧化镁纳米粒子，不仅有效地提高了材料曝光记录过程中的维度稳定性，抑制材料的体积缩皱，而且衍射效率和其他全息性能参数都有了一定的改善。同时存在一个最佳的掺杂浓度，使得材料的最大衍射效率可以达到93.7%，最大折射率调制度达到2.13×10-3，样品缩皱率减少为1.61%。将模拟图像存入样品，得到的衍射再现图像的保真度较高。所有这些结果表明，将亲水性氢氧化镁纳米粒子分散在丙烯酰胺基光致聚合物中是一种改善材料全息性能的有效方法。